Dolgozunk az Unionpedia alkalmazás helyreállításán a Google Play Áruházban
🌟Egyszerűsítettük a dizájnunkat a jobb navigáció érdekében!
Instagram Facebook X LinkedIn

Atomi rétegleválasztás és Heteroátmenet

Parancsikonokat: Különbségeket, Hasonlóságok, Jaccard hasonlósági koefficiens, Referenciák.

Közötti különbség Atomi rétegleválasztás és Heteroátmenet

Atomi rétegleválasztás vs. Heteroátmenet

Az atomi rétegleválasztás (angol rövidítéssel ALD, atomic layer deposition) egy vékonyréteg-elválasztási módszer a mikro- és nanotechonlógiában. Egy lehetséges heteroátmenet sávdiagramja A félvezetők fizikájában heteroátmenetnek nevezik azt az anyagi tartományt, mely két összeérintett, különböző sávszerkezeti jellemzőkkel bíró félvezető anyag határfelületén alakul ki.

Közötti hasonlóságok Atomi rétegleválasztás és Heteroátmenet

Atomi rétegleválasztás és Heteroátmenet 1 dolog közös (a Uniópédia): Kémiai gőzfázisú leválasztás.

Kémiai gőzfázisú leválasztás

A kémiai gőzfázisú leválasztás (angol rövidítéssel CVD, chemical vapor deposition) a vékonyréteg-leválasztásA magyar rétegleválasztás szakkifejezés gyakran félreértésre ad okot: a leválasztás itt a mintadarab felületére történik, azaz a réteg épülésével jár, nem pedig onnan egy réteg eltávolításával.

Atomi rétegleválasztás és Kémiai gőzfázisú leválasztás · Heteroátmenet és Kémiai gőzfázisú leválasztás · Többet látni »

A fenti lista az alábbi kérdésekre válaszol

Összehasonlítását Atomi rétegleválasztás és Heteroátmenet

Atomi rétegleválasztás 6 kapcsolatokat, ugyanakkor Heteroátmenet 18. Ami közös bennük 1, a Jaccard index 4.17% = 1 / (6 + 18).

Referenciák

Ez a cikk közötti kapcsolatot mutatja Atomi rétegleválasztás és Heteroátmenet. Eléréséhez minden cikket, amelyből az információ kivontuk, kérjük, látogasson el: